从大板到 Cell:我在京东方 CUT 科看到的显示面板工艺
我把在京东方 Cell 部 CUT 科实习时接触到的流程,与企业、专利和玻璃厂商的公开资料放在一起整理。切割只是 CUT 的一个环节,边缘强度、洁净度和交付给下游时的状态同样需要控制。
从原理出发,也保留每一次调试中真正有用的细节。
我把在京东方 Cell 部 CUT 科实习时接触到的流程,与企业、专利和玻璃厂商的公开资料放在一起整理。切割只是 CUT 的一个环节,边缘强度、洁净度和交付给下游时的状态同样需要控制。
我尝试从公开数据手册出发,把 DrMOS 的电流标签拆开看:导通、开关、驱动和散热都会消耗余量。判断一套 VRM,不能只做“相数 × 每相电流”的乘法,还要看均流、瞬态和 PCB 散热。
我从主板送进 DIMM 的上游电源开始,一路整理到模组 PMIC、VDD/VDDQ/VPP 和 DRAM 颗粒,也借这个过程说明为什么 BIOS 设定、软件读数和实际测量到的电压不能直接画等号。
这篇文章整理了我调试 DDR5 的顺序:计算数据率与实际延迟,分清各路电压,记录启动训练和错误类型,再用不同负载分层测试。一次开机成功只能说明本轮训练通过。
不只展示结果,也记录失败参数、判断过程和下一步。
我在 X870E Apex 上调试 2×48GB 双 Rank 海力士颗粒,以 DDR5-8400 完成了 2:23:59、占用 93.6GB 的压力测试。这份记录同时检查训练结果、温度和多次重启的一致性。
RTX 5090 在压缩机制冷下取得 Time Spy Extreme 26,344 分,提交时位于世界第 44。这份记录包含图形分、CPU 分、频率、温度和失败过程,也区分了 800W VBIOS 策略上限与实际持续功耗。
这次在 ROG 枪神 9 超竞版上测试经过 Shunt Mod 的 RTX 5090 Laptop,Time Spy 总分为 30,843。文中会分开说明截图、约 290W 可用功耗窗口和长期使用风险,避免把实验记录误写成实测平均功耗。
角色、游戏与 Cosplay,是技术之外同样认真保存的世界。
电子专业学生,记录硬件、超频、游戏、Cosplay 与二次元世界。
这个博客不是一份完成的说明书,而是一张持续生长的地图:保存走过的弯路,也标记下一次想抵达的地方。
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